數(shù)顯恒速攪拌機 

數(shù)顯恒速攪拌機 型號：JB-60D
工作原理

本設(shè)備采用電子恒力調(diào)速線路，數(shù)字直接顯示轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)速。能適應(yīng)實驗室不同的試驗需要，并可根據(jù)顯示的轉(zhuǎn)軸速度直接計算攪拌、分散、的線速度及化學反應(yīng)速率之間的關(guān)系，為大規(guī)模投產(chǎn)提供正確的工藝數(shù)據(jù)。

本機的攪拌頭在電機的高速驅(qū)動下，產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)切向高線速度，物料在巨大的離心力作用下，產(chǎn)生強大的液力剪切和高頻機械效應(yīng)，使流體物料每分承受上千次的剪切和高頻機械效應(yīng)，從而達到效率混合、分散、的效果。

范圍和主要技術(shù)參數(shù)

本機于在容器內(nèi)進行流體物料實驗。

主要技術(shù)參數(shù)：

主要構(gòu)造

本機主要由以下幾個部件組成：

1、電機

2、智能控制儀（觸摸式按鍵，可隨意控制轉(zhuǎn)速）

3、不銹鋼攪拌棒

4、開放式支架.

5、固定夾及萬用夾具

產(chǎn)品名稱：數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 少子壽命測試儀 產(chǎn)品型號： LT-100C

數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 少子壽命測試儀 型號： LT-100C 
為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量，特按照國標GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。                                                        
      該設(shè)備是按照國家標準GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”設(shè)計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業(yè)已運用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗，經(jīng)過數(shù)次全國十多個單位巡回測試的考驗，證明是一種成熟可靠的測試方法，特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量；也可對硅片進行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，制樣簡便。 

 LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點： 
1、 可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光，直接對切割面或研磨面進行測量。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路、整流器、晶體管級硅單晶的少子壽命。 
2、  可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面無需拋光、鈍化。 
3、配備軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時顯示動態(tài)光電導衰退波形，并可聯(lián)用打印機及計算機。 
4、配置兩種波長的紅外光源： 
a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。 
b、短波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強，有利于測量低阻太陽能級硅晶體。 
5、測量范圍寬廣 
測試儀可直接測量： 
a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。 
b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。 
壽命可測范圍     0.25μS—10ms